ГАЛЛИЙОРГАНИЧЕСКИЕ
ГАЛЛИЯ ФОСФИД GaP, желто-оранжевые крист.; гпл 1465 °С; не раств. в воде и минер, к-тах; медленно реаг. с р-рами щелочей с образованием РН3; при 700°С на возду¬хе окисляется. Получ. синтезом из элементов при 500 °С. Полупроводниковый материал, напр. для диодов.
118 ГАЛЛИОН
КАРБОНОВЫХ КИСЛ(
. Атом галогена легко обменив
ГАЛОГЕНАН ГИДРИДЫ
АО
(ацилгалогениды) RC^^ ^
ется с разл. нуклеофилами, напр.: RCOHal + С2Н5ОН -> КСООСэШ + HHal (см. также Ацилирование). Пр: взаимод. дигалогенангидридов дикарбоновых к-т с диамина¬ми и дифенолами образуются соотв. полиамиды и полиэфи¬ры. Большое значение имеет каталитич. ацилирование аром, соед. с образованием кетонов (см. Фриделя -— Крафтсь реакция). \ Наиб, важны и изучены хлорангидриды; их получают действием на к-ты хлоридов фосфора, тионил- или суль
фурилхлорида, фосгена. Вромангидриды получают деист-вием на к-ты PBrs, иодангидриды — действием РЬ, фтор-ангидриды — действием на к-ты или их хлорангидриды KF или KHF2. См., напр., Ацетилхлорид, Бензоилхлорид, Изофталоилхлорид, Оксалилхлорид, Стеароилхлорид,', Терефталоилхлорид. I