ГАЗОВАЯ
и W(VI) при РН 1,5-2,2 а™с 460); X™ 520, 550, 605 и 590, Ei-l()-'' 3, 1,6, 5,8, 4,5 соотв.; пределы обнаружения 0,05—0,1 мкг/мл.
| Назареяко В, А., Антонович В. П., Ибраги¬мов Г. И,, в сб.: Физико-химические методы анализа, сб, 2(51) Горький,„1977, с. 11-21.
ГАЛЛИИ (Gallium) Ga, химический элем. III гр. периодич. сист., ат. и. 31, ат. м. 62,73. В природе 2 стаб. изотопа: t?SGa и 71Ga. Открыт П. Э, Лекоком де Буабодраном в 1875. Содержание в земной коре 1,5-10~3 % по массе. Собств. ми¬нерал — галлит CuGaS2. Серебристо-белый металл с голу-боватым оттенком; кристаллич. решетка ромбическая; плотн. 5,097 г/см3; гпл 29,75 °С, гкип 2403 °С; Ср 25,9 Дж/(моль -К); ДН™ 5,59 кДж/моль, АНИсП256кДж/моль;
S2°s 41,1 Дж/(моль-К). Степень окисл. +3, +2, +1.
Взяимод. с Cl2, Bi'j, I/, концентриров. р-рами щелочей,
выше 285 "С — с 02, при высоких т-рах — с S, Se, Sb, As, NH3; с Н2 не реагирует; воду не разлагает, но при высоких т-рах взаимод. с парами Н20, с к-тами медленно реагирует. Получ.: при переработке бокситов осаждают Ga(OH)3, затем концентрируют и извлекают Ga электро¬лизом щелочных р-ров. Г. высокой чистоты получ. плавкой в вакууме. Примен.: жидкий теплоноситель; для заполне¬ния ламп(пары); для нанесения отражающих нов-стей оп¬тич. зеркал; для получ. полупроводниковых материалов. Мировое произ-во ок. 40 т/год (без СССР).