Теория поверхностного натяжения
где at — концентрация исходной фазы в пограничном слое, при¬мыкающем к кристаллу.
Решая последние уравнения относительно а —at и ог —ан и складывая их по частям, получим:
dM dx
F(a — ан)
1/Вп + 1/Вп
6 (a -aH)F
где В = 1/(1/Вд+ 1/Вп) — коэффициент массопередачи.
Опытами установлено, что величина р различна для разных граней. Отсутствие обобщенных зависимостей для расчета вели¬чины р1 исключает пока возможность практического применения рассматриваемой теории. Использование последней, очевидно, невозможно в случае однокомпонентных расплавов, где а — ан = = 0. Наконец, известно, что между скоростью роста и пересыще¬нием часто наблюдается нелинейная связь.
Молекулярно-кинетическая теория рассматривает процесс роста кристаллов как последовательное образование слоев молекул, или так называемых двухмерных зародышей. Выделяющееся при этом количество энергии зависит от условий присоединения двухмер¬ного зародыша к грани, допускающих три варианта: 1) присоедине¬ние в торец ряда; 2) образование нового ряда; 3) присоединение