Однократная кристаллизация
нентом подобно проце«У ^^"SS^e ширина которого тоебуемого противодавления, шнек изнури и "npnaTvria Не¬достигает 4 т/ч.
4 Многоступенчатая перекристаллизация
технологических показателен являетсяt п ep»P»J з а ц и я по линии маточника (рис. XV-1», а) или по> { Г™т, tnuc б) осуществляемая в многоступенчат»
Га^атаГпо -K«SSSS«» последовательно проходит через п щп. птвопятся отдельно образующиеся в каждом из них П/ ей
п-о'йИтуне'ни.-'Есл^ бинарный расплав состоит «з компонентов
Дующих непрерывный ^^f^^S^l^-получаются п кристаллических фракции с понижа^^ ^рацией высокоплавкого компонента, и один маточник^ р«но весный с последней кристаллической *• ^ р*зделе'ния
Рассматриваемый процесс ?f * ^™Е?ОЛ%? А эвтектикообразующих Расплавов' "03!0//"ИИП01У равновесных концентрированныеIg^H ^коплавкого условиях ак= ЮО/о) при низкой ки u г крИсталлиза-компонента в остаточном маточнике Если во всех кр торах достигается фазовое Равновесие то количестна
риальных балансов для произвольной m-ои ступени.